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      射頻電源的膜層

      發布時間:2022-07-02

      射頻電源的膜層中,除了膜層厚度和坩堝號獨立與材料以外,其它所有參數全部包
      含在某個材料中。材料庫中捆綁的參數比較多,但對于鍍膜工藝來說,同一種材料這些參數
      基本不變。這種數據組合,對于膜系的輸入提供了極大的簡便。
      射頻電源上圖參數中,紅色楷體字對應的是成膜的所有工藝參數。在計算機控制情況下,需要
      更新這些參數,即用對應的命令更新晶控儀內部參數。
      特別指出,計算機控制模式下,晶控儀啟動時,將默認把材料庫 1 內的材料參數讀取進
      內存材料中(RAM,掉電即沒,對外材料庫號為 0)。如果上位機成膜控制程序未發送過讀取
      材料庫命令(將非 0 材料庫讀進材料 0),則將保持這些參數直至晶控儀關機。實際運行中,
      射頻電源上位機成膜控制程序需要更新所有這些紅色楷體字所需要的參數,以完成指定的材料參數沉
      積。
      特別指出,蒸發源對應坩堝類型,關乎到坩堝轉位。射頻電源并沒有提供指令進行實
      時更改。如果上位機需要更新此參數以實現坩堝轉位,一個變通的辦法是,建立幾個材料庫,
      分別對應不同的坩堝類型,然后用讀取材料庫命令實現。再刷新其它必須參數。 四、晶控儀上位機通信協議
      射頻電源提供了串口下的三種通信協議,供上位機通信控制。目前流行的兩款晶控儀
      MXC-3 和 MXC-3B,有一個共有的字符串型協議,它部分兼容了某型晶控儀的協議。在一
      些機臺上,MXC-3 可以直接替換對應型號。
      MXC-3 在共有協議外,另有一套兼容了某型射頻電源所謂標準協議。
      MXC-3B 在共有協議外,另有一套自主的 Modbus-rtu 協議,方便用戶使用組態軟件讀
      寫。
      共有的字符串協議不帶校驗位。所謂標準協議和 Modbus-rtu 協議,帶有校驗位。
      射頻電源的公司網站  有協議下載,并有簡單的共有協議通信 C 語
      言下的例程。 

      長春市星達電子儀器廠是一家提供射頻電源,高頻等離子電源,晶控膜厚儀,直流負偏壓電源,低溫等離子滅菌電源,射頻電源頻等離子電源廠家的一家公司,歡迎您的來電.

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