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      射頻電源的位置

      發布時間:2022-05-28

      射頻電源選擇蒸發源,并轉動到正確的坩堝位置。
      設定晶控儀 IO 輸入輸出端口,讓射頻電源控制外部的坩堝控制器來實現坩堝轉位。具體
      設定方法參考用戶手冊。
      層對應的坩堝號,在膜系的膜層里設定。
      2. 在蒸發源擋板關閉的情況下,開始預熔。
      射頻電源按照預熔設定的時間和功率,控制蒸發源輸出功率,預熔坩堝內的材料。
      射頻電源的配置參數的輸出配置中,分配繼電器作為蒸發源擋板的控制端。
      蒸發源在晶控儀里對應輸出功率端口。電氣上需要把對應位置連接到蒸發源的功率控制輸入
      端口。
      工藝人員在射頻電源材料參數里選擇蒸發源號。并設定預熔階段的參數,每個預熔階段包
      含,上升時間,保持功率,保持時間三個參數。常用用兩個或三個預熔階段。
      3. 預熔完成后,打開蒸發源擋板,材料開始沉積
      同 2,由射頻電源自動完成。晶控儀預熔階段完成,輸出擋板繼電器后,轉入沉積階段。
      4. 沉積過程中,實時 PID 算法調節功率,以達到控制沉積速率的目的。
      當膜層厚度達到時,關閉蒸發源擋板并關閉蒸發源輸出功率(少數蒸發源需要善后功
      率)。
      沉積階段,射頻電源實時調整輸出蒸發源功率來控制和穩定沉積速率到材料設定的沉積速
      率。使用到的 PID 算法相關參數、控制延遲時間、以及膜林晶控儀特有的最大功率延遲時
      間,都應由工藝人員在材料參數里事先填寫。
      擋板打開后,射頻電源開始累積頻率變化計算出的厚度。膜林晶控儀特有的丟棄初始負厚
      度的設定,在配置參數中。特有的不計異常速率下的厚度設定,在材料參數里設定倍數。
      5. 如果有下一層,則繼續 1~4 流程,直至膜系全部完成。

      長春市星達電子儀器廠是一家提供射頻電源,高頻等離子電源,晶控膜厚儀,直流負偏壓電源,低溫等離子滅菌電源,射頻電源頻等離子電源廠家的一家公司,歡迎您的來電.

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